特許
J-GLOBAL ID：200903000609200079
分析機器内の絶縁試料上を、ほぼ均一な表面電位にするための装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343242
公開番号（公開出願番号）：特開平10-246712
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 x線光電子又は2次イオン放射装置内の絶縁試料の表面電位をほぼ均一にすること。【解決手段】 装置は、x線光電子又は2次イオン放射装置内の絶縁試料上の表面電位を均一にする。照射領域を含む資料領域は、低エネルギ電子のビームで照射されて、正の電荷を中性化して、照射領域を負の荷電状態にする。正のイオンは、照射領域に向けられて、負の電荷を中性化する。電子ビームは、約2eVよりも小さなエネルギと約0.5eVよりも小さなエネルギの拡がりを有している。ビーム距離と、ビームの直径との比は、約10よりも小さい。イオンは、10eVよりも小さなエネルギを有している。
請求項（抜粋）：
分析機器内の絶縁試料上を、ほぼ均一な表面電位にするための装置であって、前記試料は、放射領域の正の電荷を生じるように、前記試料からの放射に作用するエネルギビームを受け取る放射領域を有している装置において、電子手段とイオン手段とを有しており、前記電子手段は、正の電荷を中和するために、放射領域を有する試料領域を低エネルギ電子の電子ビームで照射し、該照射の際、前記放射領域の外側の前記照射領域は負の荷電状態にされ、前記イオン手段は、正のイオンを、少なくとも、前記放射領域の直ぐ近くの照射領域の部分に方向付けて、前記部分内の負の電荷を中和し、前記電子手段は、約2eVより小さな低エネルギで、約0.5eVより小さなエネルギ拡がりの電子ビームを発生するように構成されていることを特徴とする装置。
IPC (3件)：
G01N 23/227
, G01N 23/225
, H01J 37/252
G01N 23/227
, G01N 23/225
, H01J 37/252 B
