特許
J-GLOBAL ID：200903047391357503

3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法

発明者：
山田 正巳

山田 正巳 について

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小塩 高英

小塩 高英 について

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柴田 直樹

柴田 直樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203130
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027783
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 3族窒化物半導体においてエッチング速度の向上及び電極のオーミック性の改善及び接触抵抗の低下。【解決手段】 Arガスのプラズマにより、試料30,32の表面の前処理としてのエッチング洗浄が行われる。反応室20の真空度が 1×10-5Torr以下になるまで排気して、BCl3ガスが流速7.5 cc/分、Arガスが流速21cc/分に制御されて反応室20に導入され、真空度は正確に0.02Torrに調整される。電極間でグロー放電が開始され、導入されたBCl3とArガスはプラズマ状態となり、試料30,32のエッチングを160 分間行った。次に、BCl3ガスの供給を停止して、反応室20の真空度が 1×10-5Torr以下になるまで排気した。その後、Arガスを流量8.5cc/分で供給し、真空度は正確に0.06Torrに調整された。そして、Arガスのプラズマにより、試料30,32の表面を後処理エッチングした。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体のドライエッチング方法において、塩素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスを用いて、3族窒化物半導体をドライエッチングすることを特徴とする3族窒化物半導体のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
引用特許：
審査官引用 (7件)
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