特許

J-GLOBAL ID：200903000761890412

半導体発光素子、照明装置および半導体発光素子の製造方法

発明者： 竹内 邦生 ,  久納 康光
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-266058
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118125
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】支持基板と半導体素子層との剥離が生じるのを抑制し、かつ、信頼性の高い半導体発光素子および照明装置を提供する。【解決手段】この半導体発光素子(発光ダイオード素子)は、支持基板1と、支持基板1上に形成された第1接合層2aと、第1接合層2a上に形成された第2接合層2bと、第2接合層2b上に形成された第3接合層2cと、第3接合層2c上に形成された半導体素子層3とを備えている。また、第2接合層2bの融点は、第1接合層2aおよび第3接合層2cの融点よりも低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、 前記支持基板上に形成された第1共晶合金層と、 前記第1共晶合金層上に形成された第2共晶合金層と、 前記第2共晶合金層上に形成された第3共晶合金層と、 前記第3共晶合金層上に形成された発光層を含む半導体素子層とを備え、 前記第2共晶合金層の融点は、前記第1共晶合金層および前記第3共晶合金層の融点よりも低い、半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-196066   出願人：シャープ株式会社
• 発光素子及び発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-023432   出願人：信越半導体株式会社
• 生分解性澱粉容器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-370352   出願人：ヨウルチョンケミカルカンパニー,リミテッド