特許
J-GLOBAL ID：200903026206029530

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-196066
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049871
出願日： 2005年07月05日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 導電性基板とオーミック電極との密着性を良好にして、信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子によれば、支持基板と、該支持基板上に形成された第一のオーミック電極と、該第一のオーミック電極上に形成された接着用金属層と、該接着用金属層上に形成された第二のオーミック電極と、該第二のオーミック電極上に形成された窒化物系化合物半導体層と、該半導体層の略全上面に形成された透明電極と、前記支持基板の裏面に形成されたオーミック電極とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、該支持基板上に形成された第一のオーミック電極と、該第一のオーミック電極上に形成された接着用金属層と、該接着用金属層上に形成された第二のオーミック電極と、該第二のオーミック電極上に形成された窒化物系化合物半導体層と、該半導体層の略全上面に形成された透明電極と、前記支持基板の裏面に形成されたオーミック電極とを含む、窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (14件)：
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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