特許
J-GLOBAL ID：200903011884479131
発光素子及び発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-023432
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235506
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】金属層を介して発光層部と素子基板とを貼り合せた構造を有する発光素子において、貼り合せ熱処理時における素子基板と金属層との冶金的な反応を効果的に防止でき、ひいては、該反応による貼り合せ強度や反射率の低下などによる不良を生じにくい発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】素子基板7の化合物半導体層24を結合する側の主表面に、導電性材料にて構成され、かつ、素子基板7に由来した成分の主金属層への拡散を阻止する拡散阻止層10dを形成する。化合物半導体層24の主表面、及び素子基板7に形成された拡散阻止層10dの主表面の少なくともいずれかに主金属層10a,10bを形成する。その後、素子基板7と化合物半導体層24とを、拡散阻止層10d及び主金属層10a,10bを介して重ね合わせ、その状態で貼り合わせ熱処理することにより、拡散阻止層10d及び主金属層10を介してそれら素子基板7と化合物半導体層24とを貼り合わせる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した主金属層を介して素子基板が結合された発光素子であって、
前記素子基板と前記主金属層との間に、導電性材料にて構成され、かつ、前記素子基板に由来した成分の前記主金属層への拡散を阻止する拡散阻止層が介挿されてなることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 B
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA08
, 5F041CA12
, 5F041CA24
, 5F041CA46
, 5F041CA67
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA91
, 5F041CB15
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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