特許
J-GLOBAL ID：200903000765098721
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 千葉 昭男
, 神田 藤博
, 内田 博
, 星野 修
, 宮前 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355944
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165366
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】膜の種類に適した処理方法を迅速に判断してエッチング、洗浄等の処理を行える基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板の上面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種を登録できかつ基板の下面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種を登録でき、また処理される前記基板の上面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角を登録できかつ処理される基板の下面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角を登録できる登録部11と、前記登録部に登録された膜種及び接触角の情報に基づいて前記処理液供給機構及び前記基板回転機構の動作を制御する制御部13とを備え、前記登録された被膜の処理液に対する接触角に基づいて処理を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の下面に処理液を供給すると共に前記基板を回転させ、それによって前記処理液を前記基板の下面全面に拡散させると共に前記処理液を前記基板の上面周辺部に拡散させ、前記処理液により基板の下面の被膜全面及び上面の被膜の周辺部の処理を行う基板処理方法において、
基板の上面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種及び基板の下面の処理される少なくとも一層の被膜の膜種を登録しておき、
処理される前記基板の上面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角及び処理される基板の下面の少なくとも一層の被膜の処理液に対する接触角を登録しておき、
前記登録された膜種に関する情報及び前記登録された接触角に関する情報基づいて前記処理液の供給量及び前記基板の回転速度を制御して処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/027
, H01L 21/304
H01L21/306 R
, H01L21/30 572B
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 648H
5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE40
, 5F046MA02
, 5F046MA10
