特許
J-GLOBAL ID：200903000772176215

有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置および電子機器

発明者：
湯田坂 一夫

湯田坂 一夫 について

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田中 英樹

田中 英樹 について

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宮坂 正美

宮坂 正美 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080739
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261073
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】有機半導体膜の特性の低下を好適に防止し得る有機半導体装置を製造する有機半導体装置の製造方法、信頼性の高い有機半導体装置および電子機器を提供すること。【解決手段】有機EL素子40は、本発明の有機半導体装置の製造方法を適用して、画素電極(第1の電極)41上に、有機EL層43を形成する第1の工程と、有機EL層43の画素電極41と反対側に、対向電極opを形成する第2の工程と、対向電極op上に、Si、NおよびOを主たる構成元素とする材料で構成される保護膜60を形成する第3の工程とを経て製造される。そして、第3の工程では、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、この被膜に紫外線を照射することにより保護膜60を得る。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1の電極の一方の面側に、有機半導体膜を形成する第1の工程と、 前記有機半導体膜の前記第1の電極と反対側に、第2の電極を形成する第2の工程と、 前記第2の電極の前記有機半導体膜と反対側に、Si、NおよびOを主たる構成元素とする材料で構成される保護膜を形成する第3の工程とを有し、 前記第3の工程において、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、該被膜に紫外線を照射することにより、前記保護膜を得ることを特徴とする有機半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 619A
Fターム (27件)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA02 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (3件)

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