特許
J-GLOBAL ID：200903000785479977

半導体製造装置

発明者：
宮崎 敏英

宮崎 敏英 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257157
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082593
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 複数の半導体基板をそれぞれ複数のチャンバー内で処理する構成で、装置のコンパクト化と処理能率の向上とを共に図る。【解決手段】 ウエハ1をそれぞれ保持可能な一対のウエハ台3が支持基台2の両側面に配置され、両ウエハ台3及び両ウエハ1をそれぞれ密閉可能な一対のチャンバー5が設けられる。両ウエハ台3が両ウエハ1を垂直状態と水平状態とに転換配置するように移動自在にされ、両チャンバー5が垂直状態の両ウエハ1を覆囲する閉塞位置と水平状態の両ウエハ1を露出する開放位置との間で移動自在にされる。バッチ式装置よりも装置のコンパクト化が可能で、さらに枚葉式装置と比較して装置のスループットの増大が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に対する処理をチャンバー内の密閉空間で行う半導体製造装置において、複数の半導体基板をそれぞれ保持可能な複数の基板保持手段と、これら各基板保持手段に保持された前記各基板を密閉可能な複数のチャンバーとを備え、前記各基板保持手段が前記各基板を略垂直状態に配置するように構成されていると共に、前記各チャンバーが略垂直状態の前記各基板を覆囲する閉塞位置と前記各基板を露出する開放位置との間で移動自在に構成されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68
FI (5件)：
H01L 21/02 Z ,  C23C 14/50 K ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特表昭64-500072
  • 特表昭64-500072
  • バッチ式減圧CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242641   出願人：ソニー株式会社
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