特許
J-GLOBAL ID：200903000823004821

処理装置

発明者：
松山 雄二

松山 雄二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124128
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 基板の大型化に伴い,加熱処理装置が大型化しても温度によるレジスト膜の膜厚変化を抑制する。【解決手段】 レジスト塗布装置群20近傍にウェハWを冷却処理する各種の冷却系処理装置を有する第1冷却処理装置群70及び第2冷却処理装置群80を配置し,現像処理装置群30近傍にウェハWを加熱処理する各種の加熱系処理装置を有する第1加熱処理装置群90及び第2加熱処理装置群100を配置する。冷却処理装置群70,80の間に第1搬送装置50を,加熱処理装置群90,100の間に第2搬送装置60を夫々備え,搬送装置50,60の間にウェハWを載置自在な受け渡し台40を備える。第1搬送装置50は,レジスト塗布装置群20と,受け渡し台40と,冷却処理装置群70,80との間でウェハWを搬送する。
請求項（抜粋）：
基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と,基板に現像液を供給する現像処理装置と,基板を冷却する複数の冷却処理装置と,基板を加熱する複数の加熱処理装置と,基板を保持部材に保持させた状態で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であって,前記複数の冷却処理装置は多段に積み重ねられて冷却系処理装置をなし,前記複数の加熱処理装置は多段に積み重ねられて加熱系処理装置をなし,前記レジスト塗布装置近傍に前記冷却系処理装置が配置され,前記現像処理装置近傍に前記加熱系処理装置が配置され,前記レジスト塗布装置と現像処理装置との間に前記搬送装置が配置されたことを特徴とする,処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/68
FI (7件)：
H01L 21/30 569 C ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 J ,  H01L 21/30 502 H ,  H01L 21/30 564 C
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 処理装置及びその制御方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119221   出願人：ソニー株式会社
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199937   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (2件)
  • 処理装置及びその制御方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-119221   出願人：ソニー株式会社
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199937   出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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