セラミックコンデンサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143223
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331877
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】高い静電容量を示し、かつ、高い耐電圧を有する薄膜セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】少なくとも表面にTi元素を有しかつ電極となる基板と、基板上に水熱合成法で形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体層と、その上に形成された電極を有するコンデンサにおいて、前記誘電体層の一部が少なくとも水熱合成法で形成されたMnを含むPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)層を含むセラミックコンデンサに関する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面にTi元素を有しかつ電極となる基板と、基板上に水熱合成法で形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体層と、その上に形成された電極を有するコンデンサにおいて、前記誘電体層の一部が少なくとも水熱合成法で形成されたMnを含むPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)層を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。

IPC (4件)：

H01G 4/33 , C04B 35/49 , H01B 3/12 301 , H01G 4/12 310

FI (4件)：

H01G 4/06 102 , H01B 3/12 301 , H01G 4/12 310 , C04B 35/49 Z

Fターム (37件)：

4G031AA05 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA19 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031CA08 , 4G031GA19 , 5E001AB06 , 5E001AC09 , 5E001AE00 , 5E001AE01 , 5E001AE03 , 5E001AH00 , 5E001AJ02 , 5E082AB03 , 5E082BC35 , 5E082EE02 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG41 , 5E082KK01 , 5E082MM24 , 5E082PP06 , 5G303AA01 , 5G303AB02 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB18 , 5G303CB25 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303DA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

複合チタン酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347949 出願人：宇部興産株式会社
複合酸化物薄膜の製造方法及びその方法で得られる複合体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-084896 出願人：東海ゴム工業株式会社
セラミツクコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-352892 出願人：株式会社東芝

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