ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128594
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335624
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高融点金属ポリサイドゲートのエッチングにおいて、サイドエッチングを防止し、かつレジストマスクやゲート絶縁膜との選択比を向上し、低ダメージでクリーンなプロセスを提供する。【構成】高融点金属ポリサイド層5を、ヨウ素系ガスを用いてエッチングする。またフッ素系ガスとの混合ガスを用い、混合比をかえて2段階エッチングする。このとき形成される側壁保護膜7は、CIx やSiIx 等のヨウ素系反応生成物を含むものであり、高いドライエッチング耐性を有する。【効果】異方性加工に必要なイオンエネルギを低減でき、選択比が向上し、下地ゲート絶縁膜スパッタやパターンシフトが生じない。イオウの堆積を側壁保護膜に併用すれば、一層の低ダメージ化、低汚染化が図れる。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコン層と高融点金属シリサイド層をこの順に積層して形成した高融点金属ポリサイド層のドライエッチング方法において、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングすることを特徴とする、ドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097914 出願人：ソニー株式会社
特開平3-083335
特開平4-096223

全件表示

前のページに戻る