特許

J-GLOBAL ID：200903000864172127

半導体膜のレーザーアニール方法

発明者： 脇田 賢 ,  尾方 秀謙
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159949
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012548
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、再結晶化されたp-Siの結晶性を向上する。【解決手段】 高エネルギーによる1回目のELAにより、グレインサイズを大きくし、低エネルギーによる2回目のELAにより、グレインサイズの均一化を図る。1回目のELAでは、エネルギー超過領域において結晶化不良領域が生じるが、2回目のELAでは、最適にエネルギーを下げることで、エネルギーの超過を無くし、結晶化不良領域が消失し、p-Si膜の結晶性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体膜にレーザーアニールを施して膜質を改良する半導体膜のレーザーアニール方法において、前記レーザーアニールは複数回行われ、より先のアニールは比較的レーザーエネルギーが高く、より後のアニールは比較的レーザーエネルギーが低いことを特徴とする半導体膜のレーザーアニール方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-102311
  
• 特開昭64-025515
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248642   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-185661   出願人：三洋電機株式会社