導電パターンの形成方法とそれを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353685
公開番号（公開出願番号）：特開2006-163418
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】導電パターンの形成方法とそれを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】導電パターンを備える平板表示装置において、ベース部材を用意するステップと、ベース部材に導電パターンと同じ形態の凹部を形成するステップと、凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成するステップと、を含む導電パターンの形成方法である。ベース部材は、凹部を備えるプラスチック基板を備えるか、または基板と、基板上に形成されて凹部を備える絶縁膜とを備える。【選択図】図3D

請求項（抜粋）：

導電パターンを備える平板表示装置において、ベース部材を用意するステップと、前記ベース部材に前記導電パターンと同じ形態の凹部を形成するステップと、前記凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする平板表示装置の導電パターンの形成方法。

IPC (7件)：

G09F 9/30 , H01L 21/288 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/320 , H05B 33/10 , H01L 51/50

FI (9件)：

G09F9/30 337 , H01L21/288 Z , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 627A , H01L21/88 B , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (58件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5C094AA43 , 5C094AA46 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094DA06 , 5C094DA15 , 5C094EB01 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033VV15 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (4件)

韓国特許公開2004-0028010号公報
韓国特許2004-0084427号明細書
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-285513 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (5件)

特開平4-005886
特開昭56-006497
特開平4-005886

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