プラズマCVD装置用クリーニング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118838
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】エッチング性能の優れたプラズマCVD装置用クリーニング装置を提供する。【解決手段】プラズマCVD装置用クリーニング装置を、プラズマCVD装置反応室1に接続され、管壁内に該壁の温度を制御する第1の温度制御手段を有し、プラズマCVD装置反応室1内にフッ素ラジカルを導入する導入管4と、該導入管に接続され、器壁内に該壁の温度を制御する第2の温度制御手段を有するフッ素ラジカル発生器3と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニングガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成させるマイクロ波発生器2と、第1および第2の温度制御手段に接続される熱交換器5とから構成し、導入管4およびフッ素ラジカル発生器3内でのフッ素ラジカルのエネルギー低下を抑制する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD装置反応室に接続され、管壁内に該壁の温度を制御する第1の温度制御手段を有し、前記反応室内にフッ素ラジカルを導入する導入管と、該導入管に接続され、器壁内に該器壁の温度を制御する第2の温度制御手段を有するフッ素ラジカル発生器と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニングガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成させるマイクロ波発生器と、前記第1および第2の温度制御手段に接続される熱交換器とから構成されることを特徴とするプラズマCVD装置用クリーニング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , H05H 1/46 B , H01L 21/302 N

Fターム (16件)：

4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030DA06 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030KA46 , 5F004AA15 , 5F004BA20 , 5F004CA09 , 5F004DA00 , 5F045AA08 , 5F045AC02 , 5F045EB06 , 5F045EH18 , 5F045EJ09 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (5件)

遠隔の励起源を用いる堆積チャンバーのクリーニング技術
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-185924 出願人：アプライドコマツテクノロジー株式会社
マイクロ波プラズマ・システム用の液体冷却マイクロ波プラズマ・アプリケータおよび液体冷却誘電体窓
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-262200 出願人：アプライド・サイエンス・アンド・テクノロジー・インコーポレイテッド
二重壁式マイクロ波プラズマアプリケータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030527 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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