半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342705
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173234
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電極による遮光の影響をできる限り小さくし、発光素子から放出される光を効率よく利用できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型の第1の半導体層3において相交わる二辺に挟まれるようにn電極6が配置され、第1の半導体層の上に形成されたp型の第2の半導体層5において相交わる二辺に挟まれるようにp電極8が配置され、かつn電極とp電極が同じ上面(発光面)側に形成されている平面視で実質的に四角形の半導体発光素子において、平面から視たときn電極6を四角形としかつp電極8を円形とする。このようにすると、n電極を円形としかつp電極を円形とした場合に比べて、発光面が広くなる。

請求項（抜粋）：

n型の第1の半導体層において相交わる二辺に挟まれるようにn電極が配置され、前記第1の半導体層の上に形成されたp型の第2の半導体層において相交わる二辺に挟まれるようにp電極が配置され、かつ前記n電極とp電極は同一面側に形成されている平面視で実質的な四角形の半導体発光素子において、前記n電極はその平面視で実質的に四角形であり、前記p電極はその平面視で実質的に円形である、ことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271544 出願人：豊田合成株式会社
半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-081949 出願人：豊田合成株式会社
特開昭62-001283

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審査官引用 (8件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271544 出願人：豊田合成株式会社
半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-081949 出願人：豊田合成株式会社
特開昭62-001283

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