特許
J-GLOBAL ID：200903000888399777
ITOスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077258
公開番号（公開出願番号）：特開2000-233969
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 ノジュールの発生を抑制でき、Inによるパーティクルの発生を低減できるとともに、酸素との反応性が高いスパッタリング方法においても、最少の抵抗値が得られる最適酸素濃度の制御が容易なITO焼結体を提供する。【解決手段】 実質的にIn、Sn、及びOからなり、焼結密度が7.08g/cm3以上、バルク抵抗率が80μΩcm〜100μΩcm、O/(In+Sn+O)が17.5%以下(重量比)、かつIn4Sn3O12相の(220)面のX線回折ピークの積分強度が、In2O3相の(211)面のX線回折ピークの積分強度の30%以下であるITO焼結体であり、該焼結体は、In、Sn及びOからなる成形体を焼結する際、焼結温度が1400°C以上となったとき、焼結雰囲気を酸化性雰囲気から非酸化性雰囲気へと切り換えることにより得られる。
請求項（抜粋）：
実質的にIn、SnおよびOからなる粉末を成形した後、該成形体を酸化性雰囲気中で焼結するITO焼結体からなるスパッタリングターゲットの製造方法おいて、焼結温度が1400°C以上となったときに、焼結雰囲気を酸化性雰囲気から非酸化性雰囲気へと切り換えることを特徴とする、ITOスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/457
, C04B 35/495
, C23C 14/08
, C23C 14/34
C04B 35/00 R
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, C04B 35/00 J
4G030AA34
, 4G030AA39
, 4G030BA02
, 4G030GA22
, 4G030GA25
, 4G030GA26
, 4G030GA27
, 4K029AA09
, 4K029AA25
, 4K029BA45
, 4K029BA47
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
