特許
J-GLOBAL ID：200903000931591121

半導体集積回路装置

発明者：
上野 嘉一

上野 嘉一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344471
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162290
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 大きなサイズの接続孔領域における上層配線層の落込みを防ぐ。【解決手段】 1つの接続孔領域20が複数個の正方形の小接続孔22の集合により構成されており、小接続孔22の一辺のサイズS1は上層配線10のサイド膜厚の2倍以下である。サイズS1は上層配線10として膜厚が600nmのアルミニウム高温スパッタ膜を用いる場合には0.6μm以下であればよく、上層配線10として膜厚が600nmのブランケットタングステン膜を用いる場合には1.2μm以下とすればよい。
請求項（抜粋）：
多層配線をもつ半導体集積回路装置において、下層配線と上層配線とを接続するためにその間に設けられた層間絶縁膜に形成された接続孔は、そのいずれの部分も接続孔の側面から上層配線層のサイド膜厚で埋込み可能な距離以下の距離に存在するパターンに形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (5件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開平2-144919
  • 特開平4-294529
  • 半導体装置の配線構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-274372   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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