半導体配線用バリア膜、半導体用銅配線、同配線の製造方法及び半導体バリア膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-064343
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242951
出願日： 2006年03月09日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】近接する高密度銅配線への銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また近接する狭い配線幅でも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】Crを5〜30wt%含有し、残部が不可避的不純物及びCoからなるCo-Cr合金膜からなり、膜厚が3〜150nm、膜厚均一性が1σで10%以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Crを5〜30wt%含有し、残部が不可避的不純物及びCoからなるCo-Cr合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が100以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Crを5〜30wt%含有し、残部が不可避的不純物及びCoからなるCo-Cr合金膜からなり、膜厚が3〜150nm、膜厚均一性が1σで10%以下であることを特徴とする半導体配線用バリア膜。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , C23C 14/34 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (3件)：

H01L21/28 301R , C23C14/34 A , H01L21/88 R

Fターム (33件)：

4K029AA06 , 4K029BA24 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4K029DC12 , 4M104BB04 , 4M104BB38 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD79 , 4M104FF18 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ73 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX13 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体キャリア用フィルム及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-063551 出願人：三井金属鉱業株式会社, 住友金属鉱山株式会社
フレキシブル銅張回路基板とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-076930 出願人：住友電工プリントサーキット株式会社

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