特許
J-GLOBAL ID：200903000947596417

強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ

発明者：
村井 正己

村井 正己 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245966
公開番号（公開出願番号）：特開2001-088294
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体薄膜素子の用途に応じて強誘電体薄膜の結晶配向方位を制御する。【解決手段】 酸化ジルコニウムを主成分とする下地層6上に少なくともイリジウムを含む下部電極71を成膜し、下部電極71上に極薄のチタン層8を積層する。強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜をチタン層8上に形成し、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜9を成膜する。チタン層8を積層する際にその膜厚を2nm〜10nmにすれば強誘電体薄膜9は(100)優先配向になり、10nm〜20nmにすれば強誘電体薄膜9は(111)優先配向になる。
請求項（抜粋）：
酸化ジルコニウムを主成分とする下地層上に少なくともイリジウムを含む下部電極を成膜する工程、当該下部電極上に極薄のチタン層を積層する工程、及び強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を前記チタン層上に形成し、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程を備え、前記チタン層を積層する際にその膜厚を調整することで前記強誘電体膜の配向方位を制御することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (9件)：
B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (29件)：
2C057AF52 ,  2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG16 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP77 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AZ10 ,  5F038CA11 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR07 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 液体噴射ヘッド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-201087   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 結晶性薄膜製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-257940   出願人：ローム株式会社
  • 液体噴射ヘッド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214600   出願人：セイコーエプソン株式会社

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