特許
J-GLOBAL ID：200903000957191229

半導体装置の作製方法

発明者：
神保 安弘

神保 安弘 について

, 
伊佐 敏行

伊佐 敏行 について

, 
本田 達也

本田 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-014407
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211191
出願日： 2008年01月25日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性を有する半導体装置を作製する方法を提供する。【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜及びその表面に酸化モリブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜及び有機化合物膜を積層し、有機化合物膜上に比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にモリブデン膜を形成し、 前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、 前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、 前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、 前記有機化合物膜上に非晶質半導体膜を形成し、 前記非晶質半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/20 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 Z
Fターム (128件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107GG09 ,  3K107HH05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CD10 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE42 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01 ,  5F152LL04 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN20 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (3件)

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