特許
J-GLOBAL ID：200903095503044176

剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

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丸山 純矢

丸山 純矢 について

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水上 真由美

水上 真由美 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207536
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174153
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に金属層または窒化物層11を設け、さらに前記金属層または窒化物層11に接して酸化物層12を設け、さらに積層成膜または500°C以上の熱処理を行っても、物理的手段で容易に酸化物層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。
請求項（抜粋）：
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に窒化物層が設けられており、前記窒化物層が設けられた基板上に少なくとも前記窒化物層と接する酸化物層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥離層を前記窒化物層が設けられた基板から物理的手段により前記酸化物層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
IPC (6件)：
H01L 27/12 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H01L 27/12 B ,  G02F 1/13 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C
Fターム (78件)：
2H088FA11 ,  2H088FA23 ,  2H088HA06 ,  3K007AB18 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5F110QQ30
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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