特許

J-GLOBAL ID：200903000960073717

固体撮像装置およびその製造方法およびインターライン転送型CCDイメージセンサ

発明者： 田中 晶二 ,  松長 誠之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044997
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253737
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】電源電圧が低くても、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を完全転送することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板に配置された複数の画素セルと、各画素セルを駆動するために設けられた駆動手段とを具備しており、各画素セル13は、入射光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオード5と、フォトダイオード5に蓄積された信号電荷を読み出すために設けられた転送トランジスタ6と、フォトダイオード5から転送トランジスタ6までの電位が滑らかに変化するように形成された電位平滑化層1とを含んでいる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板に配置された複数の画素セルと、 各画素セルを駆動するために設けられた駆動手段とを具備しており、 各画素セルは、入射光を信号電荷に変換して蓄積するフォトダイオードと、 前記フォトダイオードに蓄積された前記信号電荷を読み出すために設けられた転送トランジスタと、 前記フォトダイオードから前記転送トランジスタまでの電位が滑らかに変化するように形成された電位平滑化手段とを含んでいることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L27/148 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 B ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 A ,  H01L31/02

Fターム (24件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024CX41 ,  5C024GX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F088AA01 ,  5F088BA10 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA07 ,  5F088EA08 ,  5F088EA16 ,  5F088GA04 ,  5F088KA02 ,  5F088KA03 ,  5F088KA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• イメージセンサの画素アレイ領域、その構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-144027   出願人：三星電子株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-335587   出願人：松下電子工業株式会社