温度測定方法およびそれを用いた試験方法ならびに半導体試験装置と特性予測方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078288
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280430
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ウエハ内の半導体素子を通電試験するためのスクリーニング試験装置において、より高精度に試験できるようにすることを最も主要な特徴としている。【解決手段】たとえば、通電試験するダイオード11aに通電し、その既知の温度における特性と、未知の温度における特性とを評価装置21により評価する。そして、その評価結果をもとに、制御コンピュータ25により通電試験時におけるダイオード11aの実温度を予測する。また、予測結果にもとづいてペルチェクーラ13a〜13fの制御装置27を制御し、ウエハ11内の全てのダイオード11aの温度が均一になるように、設置台12の温度を局所的に制御する。これにより、全てのダイオード11aを同一の負荷で試験することが可能となる。

請求項（抜粋）：

温度依存性を有する半導体素子の、既知の第一の温度における第一の特性を評価する第一の工程と、前記半導体素子の、既知の第二の温度における第二の特性を評価する第二の工程と、前記第一の温度と前記第一の特性および前記第二の温度と前記第二の特性を用いて、特性の温度依存性を表す定数を算出する第三の工程と、前記半導体素子の、既知の第三の温度における第三の特性を評価する第四の工程と、前記第三の温度と前記第三の特性および前記定数を用いて、前記半導体素子の、既知の第四の特性を生じさせる未知の第四の温度を間接的に測定する第五の工程とを備えてなることを特徴とする温度測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01R 31/26 , H01S 5/024 , H01S 5/06

FI (7件)：

H01L 21/66 H , G01R 31/26 H , G01R 31/26 F , G01R 31/26 C , G01R 31/26 G , H01S 5/024 , H01S 5/06

Fターム (31件)：

2G003AA05 , 2G003AA06 , 2G003AA07 , 2G003AA10 , 2G003AB01 , 2G003AB04 , 2G003AC01 , 2G003AC03 , 2G003AD03 , 2G003AE01 , 2G003AE06 , 2G003AH01 , 2G003AH04 , 2G003AH05 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106AC20 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA27 , 4M106CA31 , 4M106DH46 , 4M106DJ02 , 4M106DJ14 , 4M106DJ39 , 5F073GA23 , 5F073HA02 , 5F073HA07 , 5F073HA08 , 5F073HA10 , 5F073HA11

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-044949
半導体素子の温度特性測定方法および測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-349120 出願人：住友電気工業株式会社
特開平4-280447

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