特許
J-GLOBAL ID：200903001012177250

大量にドープされたエピタキシャルSiGeを選択的に堆積させる方法

発明者：
キム, イワン

キム, イワン について

, 
サモイロフ, アルカディー, ヴイ.

サモイロフ, アルカディー, ヴイ. について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533945
公開番号（公開出願番号）：特表2007-514294
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
一実施形態においては、基板上にシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜を堆積させる方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板表面を約600°C〜900°Cの範囲の温度に、プロセスチャンバ内の圧力を約13Pa(0.1トール)〜約27kPa(200トール)の範囲に維持しつつ、加熱するステップと、を含む前記が提供される。堆積ガスは、プロセスチャンバに供給され、SiH4、任意のゲルマニウム源ガス、エッチング剤、キャリヤガス、任意に少なくとも1つのドーパントガスを含んでいる。シリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜は、基板上に選択的且つエピタキシャル的に成長する。一実施形態は、シリコン含有膜とキャリヤガスとして不活性ガスを堆積させる方法を含んでいる。方法は、また、選択的シリコンゲルマニウムエピタキシャル膜を用いる電子デバイスの製造を含んでいる。【選択図】 図2C
請求項（抜粋）：
基板上にシリコンゲルマニウム膜を堆積させる方法であって、 該基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、 該基板を約500°C〜約900°Cの範囲の温度に加熱するステップと、 圧力を約0.1トール〜約200トールの範囲に維持するステップと、 SiH4、GeH4、HCl、キャリヤガス、少なくとも1つのドーパントガスを含む堆積ガスを供給するステップと、 該シリコンゲルマニウム膜を該基板上にエピタキシャル的に堆積させるステップと、 を含む、前記方法。
IPC (9件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06
FI (7件)：
H01L21/205 ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/72 S ,  H01L29/72 H ,  H01L27/06 321A
Fターム (105件)：
5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP06 ,  5F003BP31 ,  5F003BP33 ,  5F003BP41 ,  5F003BZ02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045CA05 ,  5F045HA06 ,  5F048AA07 ,  5F048AA10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC05 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048CA02 ,  5F048CA04 ,  5F048CA13 ,  5F048CA14 ,  5F048CA15 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK13 ,  5F110HK21 ,  5F110HK27 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HM02 ,  5F110HM13 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140AB07 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK03 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK34 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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