特許
J-GLOBAL ID：200903080566293691

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小田 克矢

小田 克矢 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077844
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】絶縁膜の開口部に形成された複数の単結晶の半導体層中での結晶欠陥の発生がないか又は極めて少ない半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】第1の成長室内で絶縁膜の開口部に第1導電型の第1の半導体層を形成し、第2の成長室内で絶縁膜の開口部に第2導電型の第2の半導体層を形成し、第1及び第2の成長室間の基板搬送を、基板表面に水素を供給しながら行う半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた絶縁膜の開口部内に、導電型の異なる複数の半導体層を形成する半導体装置の製造方法であって、第1の成長室内で、上記開口部内に第1導電型の第1の半導体層を形成し、第2の成長室内で、上記第1の半導体層上に、第1導電型と反対導電型である第2導電型の第2の半導体層を形成する工程を有し、上記第1及び第2の成長室間で基板搬送を行う際に、上記基板表面に水素を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 29/72 S ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/08 321 C
Fターム (75件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F003BA27 ,  5F003BB04 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC04 ,  5F003BF06 ,  5F003BG10 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BP33 ,  5F003BS04 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045DA59 ,  5F045DB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08 ,  5F045EB15 ,  5F045EN04 ,  5F045HA04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048CA03 ,  5F048CA07 ,  5F048CA15 ,  5F048DA23 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BB19 ,  5F140BC13 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE20
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM