特許

J-GLOBAL ID：200903001020538246

磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ及び磁気記憶装置

発明者： ホン,ジョンイル ,  金井 均 ,  兼 淳一 ,  野間 賢二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-575968
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523925
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、磁性層と、酸化金属からなる鏡面散乱層と、Au,Cu,AuCu,AgCu,AuAgCu又はその合金からなり、前記磁性層及び前記鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、前記鏡面散乱層に隣接して前記裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのGMR特性を向上させる金属からなる金属層とを備える。

請求項（抜粋）：

磁性層と、 酸化金属からなる鏡面散乱層と、 Au,Cu,AuCu,AgCu,AuAgCu又はその合金からなり、該磁性層及び該鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、 該鏡面散乱層に隣接して該裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのGMR特性を向上させる金属からなる金属層とを備えた、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。

IPC (3件)：

H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30

FI (3件)：

H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  H01F10/30

Fターム (4件)：

5D034BA03 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6181534号
  
• 磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-185479   出願人：株式会社東芝
• 特許第6181534号
  
• 磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146810   出願人：日本電気株式会社