特許
J-GLOBAL ID：200903008077157197

磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子

発明者：
藤方 潤一

藤方 潤一 について

, 
中田 正文

中田 正文 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146810
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340857
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵抗変化を示し、熱安定性に優れた磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子を提供することにある。【解決手段】 反強磁性体と交換結合して交換バイアスを与えられた磁性層と磁性層が非磁性層を介して積層された磁気抵抗効果膜において、下地層(Zr、Hf、Zr-Hf、Zr-Co、Zr-Au、Ni-O、Co-O、Fe-O)上に反強磁性薄膜(PtMn、PdMn、NiMn)を積層し、表面の平均粗さを1〜5Åとし、磁界を検知する磁性薄膜に隣接して、Cu、Ag、Au又はこれらの少なくとも2種から選択される合金からなる伝導層を形成し、これに隣接してZr、Ta、Zr-O、Ta-O又はこれらの混合物を隣接して積層する磁気抵抗効果膜及び反強磁性薄膜と隣接しない一方の磁性薄膜を十分なバイアス磁界を生じさせ単磁区化する磁気抵抗効果素子。
請求項（抜粋）：
基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁性薄膜に反強磁性薄膜を隣接して設けてあり、この反強磁性薄膜による交換バイアス磁界をH<SB>r</SB>、他方の磁性薄膜の保磁力をH<SB>c2</SB>としたとき、H<SB>c2</SB><H<SB>r</SB>である磁気抵抗効果膜において、基板上にZr、Hf又はこれらの合金、又はZr-Au、Zr-Coからなる下地層を形成し、この上に隣接してPtMn、PdMn、NiMn又はこれらの少なくとも2種から選択される合金からなる反強磁性薄膜を積層し、反強磁性薄膜の表面の平均粗さが1〜5Åであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
FI (3件)：
H01L 43/08 Z ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
Fターム (14件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20 ,  5E049EB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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