半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156648
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335547
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】レーザー光を用いた半導体装置の作製工程において、バラツキのでない構成を提供する。【構成】半導体特に珪素半導体に対するパルスレーザー光の照射に際して、そのパルス幅を1μs以上とする。こうすることで、珪素膜表面の溶融状態を長くすることができ、結晶性の高い珪素膜を得ることができる。このような構成は、非晶質珪素膜の結晶化、不純物イオン注入の後の活性化等に利用することができる。

請求項（抜粋）：

パルス幅が1μs〜100msのパルスレーザー光を非晶質珪素膜または非晶質化した珪素膜に対して照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

レーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307797 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-226732
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る