特許

J-GLOBAL ID：200903001061543963

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 長谷川 昇雄 ,  山中 俊明 ,  木村 紳一郎 ,  大路 譲 ,  早野 勝也 ,  吉田 誠 ,  只木 芳隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344996
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189899
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体記憶装置の微細化及び高集積化を実現する。【解決手段】 本発明によれば、X方向に延びる長方形のアクティブ(活性)領域に対して、Y方向に延びる楕円形状のビットラインコンタクトが設けられていることを特徴とする。【効果】 アクティブ領域およびビット線、ワード線パタンが単純化でき効率良い微細化が実現できた。

請求項（抜粋）：

一つのスイッチ用トランジスタと、一つの電荷蓄積キャパシタを最小単位とする半導体記憶装置において、該スイッチ用トランジスタのチャネル領域とソース・ドレイン領域が形成されるアクティブ領域からビット線を接続するコンタクト孔の上部表面の平面形状がビット線の配線方向に対し垂直な方向が長い楕円形に形成されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (7件)：

H01L 27/10 681 E ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-157076   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103760   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099501   出願人：株式会社東芝