特許

J-GLOBAL ID：200903030003071342

半導体装置の製造方法

発明者： 廣田 俊幸 ,  藤原 秀二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103760
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306876
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】半導体記憶装置のスタック型のキャパシタ形成工程において、電極形状加工に用いるシリコン酸化膜を選択的に除去する。【構成】半導体記憶装置の情報蓄積電極と対向電極と容量絶縁膜とで構成されるスタック型のキャパシタ形成工程において、前記情報蓄積電極の形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、燐酸、硫酸、硝酸又はこれらの混合溶液を含む化学薬液、あるいはアンモニア水溶液と過酸化水素水の混合溶液によるエッチングで前記シリコン酸化膜を選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

半導体記憶装置の情報蓄積電極と対向電極と容量絶縁膜とで構成されるスタック型のキャパシタ形成工程において、前記情報蓄積電極の形状加工に用いるシリコン酸化膜に不純物を添加し、燐酸、硫酸、硝酸又はこれらの混合溶液を含む化学薬液、あるいはアンモニア水溶液と過酸化水素水の混合溶液である化学薬液によるエッチングで前記不純物を添加したシリコン酸化膜を選択的に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/306 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-266948   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327906   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置の電荷保存電極製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-338045   出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
• 半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-096051   出願人：三洋電機株式会社