特許
J-GLOBAL ID：200903001085410450

磁気メモリ素子及び磁気記憶装置

発明者：
前坂 明弘

前坂 明弘 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016034
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209951
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 磁気記憶装置の製造時に発生する各メモリセルの磁気メモリ素子の特性のバラツキを減少させ、製造歩留りを向上させることが可能な構成の磁気メモリ素子、及びこの磁気メモリ素子を用いた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 下層側から、反強磁性層4、磁化固定層3、非磁性層2、記憶層1を積層して成り、記憶層1の端部に隣接して、この記憶層1を構成する磁性材料を酸化した材料から成る酸化層37が配置されている磁気メモリ素子を構成する。この磁気メモリ素子の少なくとも記憶層1は、化学反応を伴うエッチングによりパターン形成されているものとする。また、この磁気メモリ素子を用いてメモリセルを構成した磁気記憶装置を構成する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
少なくとも下層側から、反強磁性層、磁化固定層、非磁性層、記憶層を積層して成る磁気メモリ素子であって、 前記記憶層の端部に隣接して、前記記憶層を構成する磁性材料を酸化した材料、或いは前記磁性材料の構成元素を少なくとも含む磁性材料を酸化した材料から成る、酸化層が配置され、 少なくとも前記記憶層が、化学反応を伴うエッチングによりパターン形成されている ことを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L27/105 ,  H01L21/3065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L21/302 105A
Fターム (11件)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DB14 ,  5F004DB29 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22
引用特許：
審査官引用 (2件)

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