特許

J-GLOBAL ID：200903001098567013

パターン形成材料、パターン形成方法および光ディスク

発明者： 桑原 正史 ,  富永 淳二 ,  金 朱鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244201
公開番号（公開出願番号）：特開2006-062101
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】 微細でアスペクト比の高いパターンを安価な方法で形成する。【解決手段】 基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたパターン形成材料であって、 加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、 加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。

IPC (3件)：

B32B 7/02 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/26

FI (3件)：

B32B7/02 105 ,  G11B7/24 531A ,  G11B7/26 501

Fターム (27件)：

4F100AA17D ,  4F100AA20B ,  4F100AA25B ,  4F100AB01C ,  4F100AB02C ,  4F100AB15C ,  4F100AR00E ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100GB41 ,  4F100HB00B ,  4F100HB00C ,  4F100HB00D ,  4F100JA02B ,  4F100JA02C ,  4F100JA02D ,  4F100JK11E ,  4F100JL02 ,  5D029KB02 ,  5D121BA05 ,  5D121BB11 ,  5D121BB18 ,  5D121BB32

引用特許：

出願人引用 (4件)

• パターン形成材料およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308679   出願人：三星電子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 光情報記録媒体の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-249493   出願人：松下電器産業株式会社
• 反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体を利用する記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-092662   出願人：三星電子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006292   出願人：日本サムスン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, TDK株式会社

審査官引用 (3件)

• パターン形成材料およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308679   出願人：三星電子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体を利用する記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-092662   出願人：三星電子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 光情報記録媒体の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-249493   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73

審査官引用 (2件)

• Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73
• Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73