特許
J-GLOBAL ID:200903001098567013
パターン形成材料、パターン形成方法および光ディスク
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-244201
公開番号(公開出願番号):特開2006-062101
出願日: 2004年08月24日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】 微細でアスペクト比の高いパターンを安価な方法で形成する。【解決手段】 基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基板上に形成されたパターン形成材料であって、
加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、
加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。
IPC (3件):
B32B 7/02
, G11B 7/24
, G11B 7/26
FI (3件):
B32B7/02 105
, G11B7/24 531A
, G11B7/26 501
Fターム (27件):
4F100AA17D
, 4F100AA20B
, 4F100AA25B
, 4F100AB01C
, 4F100AB02C
, 4F100AB15C
, 4F100AR00E
, 4F100AT00A
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10D
, 4F100GB41
, 4F100HB00B
, 4F100HB00C
, 4F100HB00D
, 4F100JA02B
, 4F100JA02C
, 4F100JA02D
, 4F100JK11E
, 4F100JL02
, 5D029KB02
, 5D121BA05
, 5D121BB11
, 5D121BB18
, 5D121BB32
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (2件)
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Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73
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Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73
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