半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238673
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051500
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】配線の剥がれがない高信頼性で高歩留まりの高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1と、この半導体基板上に形成された密度が2.0g/cm3以下の低密度材料で形成された層間絶縁膜3と、この層間絶縁膜中に形成された配線溝8と、この配線溝の少なくとも一部に形成された応力緩和層4と、この応力緩和層上を含む前記配線溝内に形成されたバリアメタル層5と、このバリアメタル層の表面上に形成された配線層9とを有する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された密度が2.0g/cm3以下の低密度材料で形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜中に形成された配線溝と、この配線溝の少なくとも一部に形成された応力緩和層と、この応力緩和層上を含む前記配線溝内に形成されたバリアメタル層と、このバリアメタル層の表面上に形成された配線層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/90 J

Fターム (63件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP21 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033XX09 , 5F033XX14 , 5F033XX19 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-073486 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099593 出願人：ソニー株式会社

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