特許
J-GLOBAL ID:200903001121699674

電磁波検出器及び電磁波検出システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸山 隆夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-343304
公開番号(公開出願番号):特開2008-157633
出願日: 2006年12月20日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】テラヘルツ帯の電磁波を高感度に検出する電磁波検出器及び該検出器を用いた電磁波検出システムを提供する。【解決手段】電磁波検出器10は、テラヘルツ光を感知しその電場強度分布に応じて複屈折分布を誘起する電気光学結晶12と、メタル周期構造11と、電気光学結晶12に向けてプローブ光15を照射する半導体レーザ13と、電気光学結晶12を介して偏光状態が変化したプローブ光15を検知して光電変換を行うCCD19と、少なくとも備える。そして、CCD19は、半導体レーザ13により照射され、メタル周期構造11の形成面とは反対面の電気光学結晶12を反射したプローブ光15を検知して光電変換を行う。【選択図】図2
請求項(抜粋):
電磁波を感知し前記電磁波の電場強度分布に応じて複屈折分布を誘起する電気光学結晶を含む電気光学結晶層と、 前記電気光学結晶層に向けてプローブ光を照射するプローブ光照射部と、 前記電気光学結晶層を介して偏光状態が変化した前記プローブ光を検知して光電変換を行う光電変換部と、を備える電磁波検出器であって、 前記光電変換部は、前記プローブ光照射部により照射され、前記電気光学結晶層を反射した前記プローブ光を検知して光電変換を行うことを特徴とする電磁波検出器。
IPC (3件):
G01N 21/35 ,  G02F 1/03 ,  G01N 21/21
FI (3件):
G01N21/35 Z ,  G02F1/03 505 ,  G01N21/21 Z
Fターム (23件):
2G059BB12 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE04 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ18 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK04 ,  2G066AA04 ,  2G066AC13 ,  2G066BA14 ,  2G066CA01 ,  2H079AA08 ,  2H079CA11 ,  2H079DA03 ,  2H079EA11
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
審査官引用 (4件)
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