特許

J-GLOBAL ID：200903001126850303

記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法

発明者： 堀井 秀樹
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-061013
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274055
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】 動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】 記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子は、第1相変化物質パターン107a’と、第1相変化物質パターン107a’上に形成された高抵抗相変化物質パターン109a’とを備える。高抵抗相変化物質パターン109a’は第1相変化物質パターン107a’に比べて高い抵抗を有する。また、高抵抗相変化物質パターン109a’上に位置した第2相変化物質パターン107b’をさらに備える。この時、高抵抗相変化物質パターン109a’は第1相変化物質パターン107a’及び第2相変化物質パターン107b’の間に介在する。第1相変化物質パターン107a’、第2相変化物質パターン107b’及び高抵抗相変化物質パターン109a’は単結晶であり得る。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1相変化物質パターンと、 前記第1相変化物質パターン上の高抵抗相変化物質パターンとを備え、 前記高抵抗相変化物質パターンは、前記第1相変化物質パターンより高い抵抗を有することを特徴とする記憶素子のための貯蔵セル。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 B

Fターム (15件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324150   出願人：松下電器産業株式会社
• 相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-519794   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド