特許

J-GLOBAL ID：200903001136243804

発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器

発明者： 友田 勝寛 ,  鈴木 淳 ,  土居 正人 ,  小嶋 健介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-115374
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019467
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】光の取り出し効率の大幅な向上を図ることができ、発光効率の大幅な向上を図ることができ、しかも微細化が容易な発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオード構造を形成するn型GaN層11、活性層12およびp型GaN層13に、n型GaN層11の下面に対して角度θ1 傾斜している端面14を形成する。p型GaN層13上にp側電極15を形成する。端面14およびp側電極15の周囲の部分のp型GaN層13の上面を覆うように透明樹脂16を形成し、この透明樹脂16およびp側電極15の全体を覆うように反射膜17を形成する。n型GaN層11の下面にn側電極18を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光ダイオード構造を形成する半導体層がその主面に対して角度θ1 傾斜している端面を有する発光ダイオードであって、 上記端面の外部に、上記端面に対向し、かつ上記主面に対して上記角度θ1 より小さい角度θ2 傾斜している部分を少なくとも一部に含む反射体を有する ことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-233553   出願人：日立電線株式会社
• LEDチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-154335   出願人：松下電工株式会社
• 車載用波長変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-301931   出願人：スタンレー電気株式会社
• 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128987   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

審査官引用 (3件)

• LEDチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-154335   出願人：松下電工株式会社
• 車載用波長変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-301931   出願人：スタンレー電気株式会社
• 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128987   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー