特許
J-GLOBAL ID：200903001145725889

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
石塚 慶一

石塚 慶一 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131736
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするIZO透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるIZOスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
酸化インジウム結晶中にZnが固溶した又は未固溶のInリッチ相と酸化亜鉛結晶中にInが固溶した又は未固溶のZnリッチ相の2相の組織を備えていることを特徴とするインジウム-亜鉛系酸化物からなるスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/453 ,  H01B 1/08
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  H01B 1/08 ,  C04B 35/00 P
Fターム (16件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA16 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CD03 ,  5G301CD10 ,  5G301CE02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM