特許
J-GLOBAL ID：200903001152360020
トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-065614
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227297
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】 特に、絶縁障壁層にMg-Oを用いたトンネル型磁気検出素子において、抵抗変化率(ΔR/R)を従来に比べて効果的に向上させることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 フリー磁性層6は、Mg-Oの絶縁障壁層5上に、下からCo-FeあるいはFeで形成された第1磁性層6a、及びCo-Fe-BあるいはFe-Bで形成された第2磁性層6bの積層構造で形成される。これにより、従来に比べて、効果的に抵抗変化率(ΔR/R)を向上させることが可能である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下から固定磁性層、絶縁障壁層、及び、フリー磁性層の順に、あるいは、下からフリー磁性層、絶縁障壁層、及び、固定磁性層の順に形成され、
前記絶縁障壁層は、Mg-Oで形成され、
前記フリー磁性層は、前記絶縁障壁層に接するCo-Fe、あるいはFeで形成された第1磁性領域と、前記第1磁性領域を挟んで前記絶縁障壁層から離れて位置し、前記第1磁性領域に接するCo-Fe-BあるいはFe-Bで形成された第2磁性領域とを有して構成されることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 10/16
, H01F 10/30
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01F10/16
, H01F10/30
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
, 5E049AC05
, 5E049BA25
, 5E049DB14
, 5F092AA02
, 5F092AA08
, 5F092AB03
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BB59
, 5F092BB66
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE24
, 5F092BE25
