特許
J-GLOBAL ID：200903084382222363
磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
机 昌彦
, 工藤 雅司
, 谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081789
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197764
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 従来構造と比較して再生出力、S/N、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。【解決手段】 フリー層3とフリー層3上に形成されたバリア層4とバリア層4上に形成された固定層5の組合わせを基本構成とする磁気抵抗効果膜20を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子25が使用され、且つ下シールド1にアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されている磁気抵抗効果センサ30が示されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フリー層とバリア層と固定層とがこの順で形成され、前記フリー層に縦バイアスを印加する縦バイアス層を有するシールド型トンネリング磁気抵抗効果素子であって、
前記フリー層と前記固定層の幅をABS面に投影した場合の各層の幅が前記固定層の幅よりも前記フリー層の幅の方が広く、
前記縦バイアス層の端部近傍で、前記フリー層パターンと縦バイアス層とが接しており、
かつ下シールドがアモルファス材料もしくは微結晶材料からなることを特徴とするトンネリング磁気抵抗効果センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L43/08 B
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
