ESD防護用の高速スイッチング・ダイオード内臓LEDチップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182564
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340849
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】改良されたESD防護回路を提供する。【解決手段】比較的小型のESD防護ダイオードが、発光ダイオードと同じチップ上に形成されている。或る実施形態では、ESDダイオードがトレンチで発光ダイオードから分離されているメサ型ダイオードである。ESDダイオードの直列抵抗を下げるために、PN接合部と半導体材料に対する金属接点は、長さを長くし、実質的にチップの全幅に亘って伸張している。破壊電圧を高め、試験条件を改良するための、ESDダイオード用のPN接合部とN及びP金属接点の各種構成が記載されている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

発光素子において、基板上の半導体材料により形成され、その端子に順方向のバイアス電圧を印加することにより発光する発光ダイオード(LED)と、前記基板上の半導体材料により形成された静電放電(ESD)防護ダイオードであって、閾値より高い逆バイアス電圧が前記LEDの前記端子に印加された場合に、電流を分路して前記LEDから離すことにより、前記LEDを損傷から防護するために、前記LEDに対して逆並列構成に接続されているESD防護ダイオードと、を備えており、前記ESD防護ダイオードは、PN接合部を形成しているN型材料とP型材料の接合部を備えており、前記PN接合部の長さは前記PN接合部の幅の少なくとも2倍であり、前記ESD防護ダイオードが前記基板に占める面積は、前記基板上の前記LEDダイオードと前記ESDダイオードが占める合計面積の30%よりも小さく、前記素子は、更に、前記PN接合部の長さの少なくとも50%に亘って前記N型材料に接触している金属層部分を備えていることを特徴とする素子。

IPC (4件)：

H01L33/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861

FI (4件)：

H01L33/00 A , H01L29/91 C , H01L27/04 H , H01L29/91 F

Fターム (8件)：

5F038BH04 , 5F038BH13 , 5F038CA02 , 5F038CA05 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20 , 5F041AA21 , 5F041CA40

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,547,249号
米国特許第6,521,914号

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003003 出願人：ローム株式会社
特開昭50-039480
発光デバイスのための電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-331422 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

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