半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200159
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子のp側電極とn側電極に対し、逆方向の電圧が印加されても破壊し難い、1チップで小形の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 (a)発光層を形成すべくn形層33およびp形層35を含む半導体層が積層される発光部3と、(b)ダイオードを形成すべくn形領域53およびp形領域55を含む半導体層が設けられる保護ダイオード部5、とが同一の基板31上に形成され、前記発光部のn形層と前記保護ダイオード部のp形領域とが電気的に接続され、かつ、前記発光部のp形層と前記保護ダイオード部のn形領域とが電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

(a)発光層を形成すべくn形層およびp形層を含む半導体層が積層される発光部と、(b)ダイオードを形成すべくn形領域およびp形領域を含む半導体層が設けられるダイオード部、とが同一の基板上に形成され、前記発光部のn形層と前記ダイオード部のp形領域とが電気的に接続され、かつ、前記発光部のp形層と前記ダイオード部のn形領域とが電気的に接続されてなる半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 L

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-045193
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-145623 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118059 出願人：沖電気工業株式会社

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審査官引用 (6件)

特開昭62-045193
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-145623 出願人：ソニー株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-118059 出願人：沖電気工業株式会社

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