特許
J-GLOBAL ID：200903001161798608

SOI基板の製造方法

発明者：
谷口 徹

谷口 徹 について

, 
森田 悦郎

森田 悦郎 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

, 
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028417
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209408
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 活性層用ウェーハの周縁部の機械的面取り時にウェーハ側へのダメージをより小さくでき、かつ比較的この作業を容易とする。エッチングによる溶失を活性層用ウェーハの周縁部で止める。オリエンテーションフラット付き張り合わせ基板にも適用できる。【解決手段】 活性層用ウェーハ1と支持基板用ウェーハ2とを重ねて張り合わせた後、活性層用ウェーハ1の周縁部をバイト6の切削で機械的面取りする。小ダメージの機械的面取りが1回で済み、作業性が向上する。活性層用ウェーハ1の周縁部を滑らかに削ることができ、支持基板用ウェーハ2を被う酸化膜2aを傷つけることがない。周縁部の切削残部1aをエッチングで簡単に除去できる。酸化膜2aでエッチストップされる。支持基板用ウェーハの面取り部をそのまま使用できる。
請求項（抜粋）：
張り合わされる支持基板用ウェーハおよび活性層用ウェーハのうち、少なくともいずれか一方のウェーハが絶縁膜により被覆されたSOI基板の製造方法において、前記活性層用ウェーハと前記支持基板用ウェーハとを張り合わせた後、前記活性層用ウェーハの周縁部を所定厚さまで切削工具により切削する工程と、該活性層用ウェーハの周縁部の切削残部をエッチングにより除去する工程と、前記活性層用ウェーハの表面部分を研削する工程と、この研削面を研磨する工程とを備えたSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/304 321
FI (2件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/304 321 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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