特許
J-GLOBAL ID：200903041977863663
貼り合わせ基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318308
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162087
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせ基板の端面研削を行いその後エッチング処理する場合に、シリコン残りがなく、かつ端面形状を良好にする。【解決手段】 第1シリコン基板1と第2シリコン基板2を酸化シリコン膜3を介して貼り合わされた貼り合わせ基板を形成し(図1(a)、(b))、この貼り合わせ基板の端面を研削加工し(図1(c))、その後、貼り合わせ面に形成された酸化シリコン膜3が露出するまで水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた異方性エッチング液によりエッチング処理し(図1(d)、この後、第1シリコン基板1側から表面研削加工を行い(図1(e))、ポリッシングを行う(図1(f))。
請求項（抜粋）：
第1シリコン基板と第2シリコン基板を酸化シリコン膜を介して貼り合わされた貼り合わせ基板を形成する工程と、この貼り合わせ基板の外周領域において前記第1シリコン基板の表面から前記酸化シリコン膜に向けて前記第1シリコン基板を所定厚さだけ残すように研削加工する工程と、前記貼り合わせ基板の外周領域において貼り合わせ面に形成された酸化シリコン膜が露出するまで水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた異方性エッチング液によりエッチング処理する工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
