特許
J-GLOBAL ID：200903001174428770

ホールパターン形成方法

発明者：
松岡 晃次

松岡 晃次 について

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勝山 亜希子

勝山 亜希子 について

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小泉 太一

小泉 太一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052132
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252165
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 孤立ホールパターンと密集ホールパターンとが混在し且つ密集ホールパターンのホールピッチが微細であるレジストパターンを形成する際のスループット及び寸法精度を向上させる。【解決手段】 ネガ型のレジスト材料からなるレジスト膜に対して、疎に配置される第1のホールパターンを形成するための第1のホール用遮光部1と、該第1のホール用遮光部1の周辺に配置されたダミー遮光部2と、密に配置される第2のホールパターンを形成するための第2のホール用遮光部3を有する第1のフォトマスクAを用いて第1回目のパターン露光を行なう。第1回目のパターン露光が行なわれたレジスト膜に対して、ダミー遮光部2と対応する位置に該ダミー遮光部2と同等又はそれよりも大きい開口部4を有する第2のフォトマスクB1を用いて第2回目のパターン露光を行なう。第1回目のパターン露光及び第2回目のパターン露光が行なわれたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
第1の領域に第1のホールパターンが疎に配置されると共に第2の領域に第2のホールパターンが密に配置されてなるレジストパターンを形成するホールパターンの形成方法であって、ネガ型のレジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して、前記第1のホールパターンを形成するための第1のホール用遮光部と、該第1のホール用遮光部の周辺に配置されたダミー遮光部と、前記第2のホールパターンを形成するための第2のホール用遮光部とを有する第1のフォトマスクを用いてパターン露光を行なう工程と、前記レジスト膜に対して、前記ダミー遮光部と対応する位置に前記ダミー遮光部と同等又はそれよりも大きい開口部を有する第2のフォトマスクを用いてパターン露光を行なう工程と、前記第1のフォトマスクを用いるパターン露光及び前記第2のフォトマスクを用いるパターン露光が行なわれた前記レジスト膜を現像して前記レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするホールパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (5件)：
G03F 1/08 D ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (8件)：
2H095BB03 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23
引用特許：
審査官引用 (11件)
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