特許
J-GLOBAL ID：200903001203084139

薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路、アクティブマトリクス型表示装置、電気光学装置および電子機器

発明者：
木村 睦

木村 睦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019126
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235238
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】本発明の目的は、第1基板上に機能素子が形成され、第2基板21上に配線が形成され、第1基板上から機能素子をひとつ以上含む素子チップ14が剥離され、第2基板21上へ転写され、第2基板21が曲げられて使用される、電子回路、また、この電子回路において、機能素子が薄膜トランジスタである薄膜トランジスタ回路、また、この薄膜トランジスタ回路において、薄膜トランジスタをアクティブマトリクス素子として用いることを特徴とする、アクティブマトリクス型表示装置で、第2基板21や配線を可曲なもので形成して、可曲な電子回路や薄膜トランジスタ回路やアクティブマトリクス型表示装置を得る場合に、第2基板21から素子チップ14が剥れてしまったり、素子チップ14が割れてしまったりしないようにすることである。【解決手段】素子チップ14が矩形であり、素子チップ14の短辺と、第2基板21が曲げられる方向とが、一致している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1の基板上に形成された複数の機能素子の少なくとも1つを含む素子チップを、可曲性を有する第2の基板に転写する工程を含む薄膜素子の製造方法であって、 前記素子チップの外形は矩形であり、 前記素子チップの短辺と、前記第2基板が曲げられる方向とが、一致していることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  H01L23/12 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/78 627D ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L23/12 F
Fターム (19件)：
2H092GA31 ,  2H092GA50 ,  2H092JB51 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA08 ,  2H092PA11 ,  2H092PA12 ,  2H092PA13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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