半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298149
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】複数の積層された半導体素子とインターポーザー上に形成された金属配線との接合は金属細線を介して行われているため、インターポーザーは搭載する半導体素子よりも金属配線の領域分だけ大きくする必要があり、半導体装置の小型化を妨げる要因となっていた。【解決手段】第二の半導体素子3は、第一の半導体素子1の上に第一の半導体素子上電極2が露出するように接着剤5を介して積層された構造であり、第一の絶縁性樹脂6は、第一の半導体素子1および第二の半導体素子3上に形成され、めっき配線8は第一の絶縁性樹脂6上に形成され、第一の半導体素子上電極2および第二の半導体素子上電極4と電気的に接続されている構造である。これにより、複数の半導体素子を積層しつつ、小型化を可能とする。

請求項（抜粋）：

主面上に複数の第一の電極が配列された第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上に、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域の一部を露出するように積層された、主面上に複数の第二の電極が配列された第二の半導体素子と、前記第一の半導体素子の主面上および、前記第二の半導体素子の主面上に形成され、少なくとも前記第一の電極が配置されている領域および、前記第二の電極が配置されている領域の一部に開口部を有するように形成された第一の絶縁性樹脂と、前記第一の電極および、前記第二の電極から、前記第一の絶縁層に形成された開口部を介して、前記第一の絶縁層上に延在された、第一のめっき配線と、少なくとも前記第一のめっき配線の一部の領域に開口部を有する、第二の絶縁性樹脂と、前記第二の絶縁性樹脂の開口部を介して、前記第一のめっき配線と電気的に接続された、外部電極端子とからなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/12 , H01L 23/52

FI (3件)：

H01L 25/08 B , H01L 23/12 L , H01L 23/52 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255576 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
ICパッケージの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033130 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
特開平3-091953

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審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255576 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
ICパッケージの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033130 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
特開平3-091953

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