半導体装置の配線接続構造及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240416
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】電気的に安定したオーミック接合が可能となり、安定した配線構造が得られる半導体装置の配線接続構造及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@Si等の半導体材料1と金属等の配線2との間に、半導体材料と仕事関数の乖離した材料3を介在させて半導体材料と配線間をトンネル電流が流れる高電位障壁とする。?A半導体材料1と配線2との間に、半導体金属化合物もしくは金属材料3を介在させ、該半導体金属化合物もしくは金属材料の半導体材料との仕事関数の差は、配線と半導体材料との仕事関数の差より大きいものとする。?B半導体材料と、非結晶性半導体材料と、半導体金属化合物と金属材料とが接続した構造をとる半導体増置の配線接続構造を、非単一結晶性半導体材料を形成する手段としてプラズマ発生源を他にもったイオンエッチングを用い、その後同装置内で水素イオンを発生させ非単一結晶性半導体層の除去を行って製造する。

請求項（抜粋）：

半導体材料と配線との間に、半導体材料と仕事関数の乖離した材料を介在させて半導体材料と配線との間をトンネル電流が流れる高電位障壁とした構造の半導体装置の配線接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/88 A , H01L 21/88 M , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-285762
特開昭62-298168
特開昭57-080721

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