特許
J-GLOBAL ID:200903001255231679

省電力一酸化炭素ガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 蔦田 璋子 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-085082
公開番号(公開出願番号):特開2003-279521
出願日: 2002年03月26日
公開日(公表日): 2003年10月02日
要約:
【要約】【課題】 水素を誤って一酸化炭素ガスとして検出する可能性が低く、優れた定量性を発揮して一酸化炭素ガスを検出することができる省電力タイプのガスセンサを提供すること。【解決手段】 半導体式の一酸化炭素ガスセンサにおいて、膜状酸化物を加熱するためのヒーターの電力を制御して、膜状酸化物の温度を、少なくとも次の(1)〜(3)の3つの温度として設定するとともにこの設定温度で周期的に変化させるように構成した。(1)膜状酸化物の抵抗値からガスを検出する中程度の温度であり、100°C〜150°C。(2)前記(1)の温度より高く、センサ表面をクリーニングするための高温。(3)前記(1)の温度より低く、検出したガスが一酸化炭素ガスかあるいはその他のガスかどうかを膜状酸化物の抵抗値から判断する低温であり、90°C未満の温度。
請求項(抜粋):
薄膜状の支持膜の外側円周部または左右両端部が電気絶縁性の基板により支持されてなる膜状酸化物と、前記膜状酸化物の電気抵抗値を計測するための少なくとも1対の電極と、前記膜状酸化物を加熱するためのヒーターとが設けられ、前記電極間の抵抗値によりガスを検出する一酸化炭素ガスセンサにおいて、前記膜状酸化物を加熱するためのヒーターの電力を制御して、前記膜状酸化物の温度を、少なくとも次の(1)〜(3)の3つの温度として設定するとともにこの設定温度で周期的に変化させるように構成したことを特徴とする一酸化炭素ガスセンサ。(1)前記膜状酸化物の抵抗値からガスを検出する中程度の温度。(2)前記(1)の温度より高く、センサ表面をクリーニングするための高温。(3)前記(1)の温度より低く、検出したガスが一酸化炭素ガスか、あるいはその他のガスかどうかを前記膜状酸化物の抵抗値から判断する低温。
Fターム (23件):
2G046AA11 ,  2G046BA01 ,  2G046BB01 ,  2G046BB06 ,  2G046BC04 ,  2G046BE02 ,  2G046DB03 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DB07 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB01 ,  2G046FB06 ,  2G046FC01 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE46
引用特許:
審査官引用 (6件)
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