特許
J-GLOBAL ID：200903087873053554
薄膜ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-096270
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292394
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 電池駆動を可能にするため、その大きさ等を工夫することにより、応答時間を短縮し低消費電力化を図る。【解決手段】 ガス感知膜を含む発熱部を半径100μmの円内に入る大きさとすることで、応答時間を所定時間内にし得るようにする。また、ガス感知膜をダイヤフラム直径の1/2の円内に入る大きさとすることにより、消費電力を所定値内に収められるようにする。
請求項（抜粋）：
Si基板の一側面中央部がダイヤフラム様にくりぬかれた基板面上に支持膜を介して薄膜ヒーターを形成し、その上に電気絶縁層を介して電極(感知膜電極)を形成し、さらにその上に感知膜を形成した薄膜ガスセンサにおいて、前記感知膜を含む発熱部を半径100μmの円内に入る大きさとすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 27/12 B
, G08B 21/00 W
2G046AA11
, 2G046AA19
, 2G046AA21
, 2G046AA24
, 2G046BA01
, 2G046BB06
, 2G046BB08
, 2G046BE03
, 2G046BE08
, 2G046DC09
, 2G046EA02
, 2G046EA07
, 2G046EA09
, 2G046FB00
, 2G046FB02
, 2G046FE10
, 2G046FE25
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE38
, 2G046FE39
