特許
J-GLOBAL ID：200903001270809954
高放熱型メモリおよび高放熱型メモリモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202120
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 コンピュータ等からの高速化,小型化,高放熱化の要求を満たすパッケージ構造を備えた高放熱型メモリおよびそれらの高放熱型メモリを組み合わせて構成した高放熱型メモリモジュールを提供する。【構成】 放熱性基板3の片面上のほぼ中央部にメモリ素子2が接着され、放熱性基板3の一辺に外部接続用リードピン5が配設され、メモリ素子2とリードピン5とがワイヤ6により電気的に接続され、少なくともメモリ素子2およびワイヤ6による接続部分が樹脂で覆われ、少なくともメモリ素子2が接着された領域に対応する放熱性基板3の反対側の面が樹脂で覆われない構造であり、基板3がここでは図示しない表面実装用基板に対して垂直に接続される高放熱型メモリ。【効果】 メモリ素子2からの熱を効率的に熱拡散できる。
請求項（抜粋）：
放熱性基板上にメモリ素子を搭載し放熱性基板上のメモリ素子とリードピンとを電気的に接続した高放熱型メモリを表面実装基板上に複数個縦型に搭載した高放熱型メモリモジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 25/00
H01L 25/04 Z
, H01L 23/12 J
